碳含量对碳氮化硅薄膜化学结构和力学性能的影响

• 作者: 丁万昱 徐军 朴勇 陆文琪 马腾才 高鹏
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiCN 微波ECR等离子体 化学结构 力学性能
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 526-529
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1|O484.2
• 字数: 3036字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.06.020

摘要

利用微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅(SiCN)薄膜.研究结果表明,碳含量对薄膜化学结构、力学性能有很大影响.傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)表征显示,随着碳靶溅射偏压由-450 V提高到-650 V,薄膜中碳含量由19.0%增加到27.1%,sp3C-N键含量增多,薄膜生长速率由3.83 nm/min提高到5.83 nm/min,硬度在-600 V时达到最大值25.36 Gpa.上述结果表明,提高碳靶溅射偏压,可以提高薄膜含碳量,得到性能较好的SiCN薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马腾才	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	81	688	15.0	21.0
2	丁万昱	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	10	77	6.0	8.0
3	高鹏	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	41	283	10.0	15.0
4	徐军	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	51	346	11.0	14.0
5	陆文琪	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	13	101	7.0	9.0
6	朴勇	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	13	66	6.0	7.0