高电导本征纳米硅膜及其缓冲层太阳能电池

• 作者: 吴小文 崔敏 张维佳 李国华 王天民 钟立志
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 纳米硅 电导率 PECVD 薄膜 太阳能电池
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 47-49
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2469字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.04.016

摘要

通过PECVD法制备了纳米硅薄膜(nc-Si:H),采用Raman散射谱,AFM对样品的结构和形貌进行了测试,并测试了样品的室温电导率.结果表明:制备出的纳米硅薄膜,其电导率达到4.9 S·cm-1.另外制备了本征nc-Si:H膜作缓冲层,结构为ITO/n+-nc-Si:H/I-nc-Si:H/p-c-Si/Ag的PIN型太阳能电池,其Voc达到534.7 mV,Isc达到49.24 mA(3 cm2),填充因子FF为0.422 8.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王天民	北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心	140	1545	22.0	32.0
2	李国华	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	25	99	5.0	9.0
3	崔敏	北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心	10	72	4.0	8.0
4	张维佳	北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心	18	162	8.0	12.0
5	吴小文	北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心	7	60	4.0	7.0
6	钟立志	北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心	6	57	4.0	6.0