阴极恒电位法电沉积SnS薄膜的性能研究

• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 恒电位电沉积 SnS薄膜 沉积电位 光电性能
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 页码范围: 695-699
• 页数: 5页
• 分类号: TK511.4
• 字数: 3589字
• 语种: 中文

摘要

在溶液的pH=2.7,离子浓度比[Sn2+]/[S2O32-]=1/5的条件下,通过调节沉积电位在-0.60～1.10V(vsSCE),在ITO导电玻璃基片上电沉积SnS膜层.实验表明:沉积电位在-0.72～-0.75V(vs SCE)范围内时,制备出的SnS薄膜的Sn和S的化学配比非常接近1:1的理想值.用X射线衍射分析其物相结构,结果表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜.用扫描电镜观察该薄膜的表面形貌,发现该薄膜颗粒较细,均匀性较好.通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.31eV,与SnS体材的带隙(1.3eV)非常接近.该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-3Ω·cm.