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脉冲法电沉积SnS:Ag薄膜
脉冲法电沉积SnS:Ag薄膜
作者:
杨永丽
程树英
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
脉冲电沉积
SnS
Ag薄膜
光电性能
摘要:
用脉冲电沉积技术,在ITO玻璃基片上制备了SnS:Ag薄膜.用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的物相结构和表面形貌,结果表明SnS:Ag薄膜出现了新物相Ag6SnS6,结晶度好,颗粒度大.用光电流测试研究了其导电性能,表明SnS:Ag薄膜是p型半导体材料.霍尔测量表明掺杂后载流子浓度增大,电阻率降低.
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文献信息
篇名
脉冲法电沉积SnS:Ag薄膜
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
脉冲电沉积
SnS
Ag薄膜
光电性能
年,卷(期)
2008,(12)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
2322-2325
页数
4页
分类号
TN304
字数
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.007
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
程树英
福州大学食品安全分析与检测教育部重点实验室
96
443
11.0
17.0
5
杨永丽
福州大学食品安全分析与检测教育部重点实验室
1
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研究主题发展历程
节点文献
脉冲电沉积
SnS
Ag薄膜
光电性能
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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