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摘要:
用脉冲电沉积技术,在ITO玻璃基片上制备了SnS:Ag薄膜.用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的物相结构和表面形貌,结果表明SnS:Ag薄膜出现了新物相Ag6SnS6,结晶度好,颗粒度大.用光电流测试研究了其导电性能,表明SnS:Ag薄膜是p型半导体材料.霍尔测量表明掺杂后载流子浓度增大,电阻率降低.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 脉冲法电沉积SnS:Ag薄膜
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 脉冲电沉积 SnS Ag薄膜 光电性能
年,卷(期) 2008,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2322-2325
页数 4页 分类号 TN304
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 程树英 福州大学食品安全分析与检测教育部重点实验室 96 443 11.0 17.0
5 杨永丽 福州大学食品安全分析与检测教育部重点实验室 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
脉冲电沉积
SnS
Ag薄膜
光电性能
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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