氧化热处理SrTiO3压敏电阻的电容弥散频率

• 作者: 丁志文 庄严 李红耘 熊西周 陈志雄
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 SrTiO3压敏电阻 电容弥散频率 界面驰豫极化 氧化热处理
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: TN394.93
• 字数: 4427字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.11.004

摘要

经测量氧化热处理后SrTiO3压敏电阻的电容频率和复阻抗,结果表明:升高热处理温度提高压敏电压时,电容弥散频率显著降低,晶粒电阻明显增大.由电容频谱曲线的主要特征判断,界面驰豫极化机制主导这一电容弥散区.界面驰豫方程确定的特征驰豫时间和电容弥散频率计算式,与晶粒和晶界的电物理参数相关,弥散频率的计算值与实验结果定性相符.热处理温度升高使氧过度向晶粒体内扩散,导致晶粒电阻明显增大,是弥散频率降低的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈志雄	广州大学固体物理与材料研究实验室	19	134	6.0	11.0
2	李红耘		12	105	8.0	10.0
3	熊西周		11	102	8.0	10.0
4	庄严	中国电子科技集团公司第七研究所	4	45	3.0	4.0
5	丁志文	广州大学固体物理与材料研究实验室	10	49	4.0	6.0