电容式RF MEMS开关开关过程产生的电磁波模型和分析

• 作者: 廖小平 袁晓林 黄庆安
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 动态过程 电容式RF MEMS开关 电磁波 干扰
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: RF微纳器件与技术
• 页码范围: 1945-1950
• 页数: 6页
• 分类号: TM5
• 字数: 4224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.168

摘要

在电容式RF MEMS开关的动态工作过程中,会有电磁波产生.根据开关膜桥的动态运动模型,把开关工作分成了四个过程,并通过麦克斯韦方程建立了各个过程中产生的电磁波模型,最后通过单元面叠加的方法验证了这一模型.在开关电容充电和膜桥下拉过程中,开关都是产生了电磁波脉冲.尤其是在充电阶段,电磁波峰值为105 A/m的量级,持续时间为3.15×10-8μs.而在开关电容放电过程中,产生的电磁波是时谐波,其频率为23.4 GHz(落在RF信号的频率范围内了).这就提醒了设计者们要增加特殊的滤波电路来过滤掉RF信号中噪声.此外,辐射的电磁波同样对开关周围的电路和器件有影响,这需要进一步的研究.