电容式RF MEMS开关膜片边缘场效应的表征

• 作者: 何婉婧 李君儒 蔡洵 高杨 黄振华
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频微电子机械系统 电容式开关 射频功率容量 自驱动 边缘场效应
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 342-346
• 页数: 5页
• 分类号: TN306
• 字数: 3232字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201502.0342

摘要

计及电容式 RF MEMS 开关膜片上电场分布的边缘场效应后，很难建立高保真的开关自驱动失效阈值功率解析模型。因此，采用膜片承受射频信号功率的面积(ARF)和膜片与传输线的正对面积(A)的比值构建优值(FoM)，以表征膜片上电场分布的边缘场效应强弱。利用 HFSS 软件建立了开关自驱动失效的三维电磁模型；以一种常见的开关构型为案例，仿真得到了多种射频信号功率(Pin)和开关气隙高度(g0)条件下膜片边缘电场分布，并与优值计算结果进行了对比验证，初步证明了采用优值ARF/A表征膜片上电场分布的边缘场效应强度的可行性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高杨	中国工程物理研究院电子工程研究所	150	833	13.0	19.0
5	何婉婧	西南科技大学信息工程学院	15	70	5.0	7.0
7	李君儒	西南科技大学信息工程学院	16	71	5.0	7.0
9	蔡洵	西南科技大学信息工程学院	17	56	4.0	5.0