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摘要:
阐述了一种输出电压为853 hV的带隙基准电压源电路,该电路采用0.18μm标准CMOS工艺实现,可在1.8 V的电源电压下工作,在-20℃到120℃温度范围内其温度系数为24×10-6/℃.在频率低于10kHz时,电源抑制比保持在-66dB.电路版图的有效面积为0.022 mm2.该电路已成功应用于低功耗CMOS图象传感器芯片当中.
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一种CMOS带隙基准电压源设计
CMOS
带隙基准
低温度系数
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低功耗
低温度系数
亚阈值
CMOS
一种低电压的CMOS带隙基准源
带隙基准源
温度系数
电源抑制比
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CMOS
衬底驱动
低压
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种1.8 V 24×10-6/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2006,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 697-700
页数 4页 分类号 TM91
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.03.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 计峰 山东大学物理与微电子学院 23 185 7.0 13.0
2 陈杰 中国科学院微电子研究所 247 3126 30.0 49.0
3 金湘亮 中国科学院微电子研究所 14 209 6.0 14.0
4 马建斌 山东大学物理与微电子学院 1 1 1.0 1.0
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导