AlGaInP大功率半导体激光器的漏电分析

• 作者: 宋国峰 徐云 曹玉莲 曹青 李玉璋 杨国华 甘巧强 郭良 陈良惠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 AlGaInP可见光激光器 应变量子阱
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 299-303
• 页数: 5页
• 分类号: TN365
• 字数: 3001字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.074

摘要

对于GaInP/AlGaInP量子阱激光器,在大电流注入或高温工作时有源区中注入的电子会越过势垒进入p型限制层成为漏电流,严重影响器件的正常工作.本文通过测试AlGaInP大功率压应变量子阱激光器的阈值电流和外微分量子效率随温度的变化,拟合出有源区电子的有效势垒高度,并与理论模拟结果进行了比较,讨论了p型限制层掺杂浓度的分布对势垒高度的影响.