Ar工作压强对磁控溅射Ni-Mn-Ga铁磁形状记忆薄膜成分的影响

• 作者: 刘超 安旭 蔡伟 赵连城 高智勇 高来勖
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: Ni-Mn-Ga 形状记忆 铁磁性 薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 367-369
• 页数: 3页
• 分类号: TG111.92
• 字数: 1844字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.03.008

摘要

采用直流磁控溅射技术在单晶硅衬底上沉积Ni-Mn-Ga铁磁性形状记忆薄膜.试验结果表明,Ar工作压强对Ni-Mn-Ga薄膜化学成分有显著影响.Ni含量随Ar工作压强的升高呈先增加后减少的趋势,Mn含量呈先减少后增加的趋势,Ga含量几乎呈线性减少的趋势.随Ar工作压强的升高,薄膜的e/a值逐渐增大,薄膜的相变温度逐渐升高,室温下可以获得具有四方结构马氏体相的Ni-Mn-Ga薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵连城	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	107	1153	16.0	29.0
2	蔡伟	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	73	482	13.0	17.0
3	高智勇	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	16	95	5.0	9.0
4	刘超	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	32	183	8.0	12.0
5	高来勖	黑龙江大学电子工程学院	9	36	4.0	6.0
6	安旭	黑龙江大学电子工程学院	5	18	3.0	4.0