IC铜合金引线框架材料的氧化失效及其机理

• 作者: 李明 毛大立 沈宏
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 引线框架材料 铜合金 氧化失效 结合强度 电子封装
• 年，卷（期）: 2006,（z2）
• 页码范围: 109-112
• 页数: 4页
• 分类号: TG1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2006.z2.027

摘要

通过氧化膜剥落实验发现,在相同条件下,EFTEC64T和C194两种材料的氧化膜与基底结合强度较高,不易剥离,而C5191和C7025两种材料则较差.通过AES对各铜合金材料氧化膜进一步的分析表明:铜合金材料氧化膜基本结构为CuO/Cu2O/Cu,且氧化膜的结合强度与CuO成分在氧化膜中所占比例有关,比例愈高则越易剥落.研究还发现:在氧化过程中,铜合金的某些微量元素会在氧化膜与基底的界面上发生富集偏析,这是导致氧化膜结合强度减弱的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李明	上海交通大学材料学院金属基复合材料国家重点实验室	147	815	15.0	22.0
2	毛大立	上海交通大学材料学院金属基复合材料国家重点实验室	32	504	13.0	22.0
3	沈宏	上海交通大学材料学院金属基复合材料国家重点实验室	3	10	2.0	3.0