改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理

• 作者: 刘卫丽 宋志棠 张苗 朱剑豪 林成鲁 狄增峰 骆苏华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe-on-insulator 氧化 扩散
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 252-256
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2640字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.064

摘要

对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.