微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积法制备非晶氟化碳薄膜的研究

• 作者: 吴振宇 杨银堂 汪家友
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: a-C:F ECR-CVD 键结构 电学性质
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2572-2577
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4839字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.079

摘要

采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)法,以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.X射线电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明,a-C:F薄膜退火后厚度减小是由于位于a-C:F薄膜交联结构末端的C-C和CF8结合态的热稳定性较差,导致退火时容易生成气态挥发物造成的.a-C:F膜介电常数在300℃氮气气氛中退火后由于电子极化增大和薄膜密度增加而上升,界面态陷阱密度从(5-9)×1011eV-1·cm-2降至(4-6)×1011eV-1·cm-2.a-C:F薄膜导电行为在低场强区域呈现欧姆特性,在高场强区域符合Poole-Frankel机理.非定域π电子在带尾形成陷阱且陷阱能量在退火后降低,从而使更多陷阱电子在场增强热激发作用下进入导带并引起电流增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴振宇	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	24	170	9.0	12.0
2	汪家友	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	31	267	11.0	15.0
3	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0