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摘要:
提出了一种新型抗静电泄放(ESD)钳位保护电路--栅控可控硅级联二极管串(gcSCR-CDS)结构.相比传统级联二极管串(CDS)结构,新结构利用插入的SCR管减小了钳位电路的泄漏电流和导通电阻,提高了电路的抗ESD能力;利用栅控的PMOS管,提高了维持电压,抑制了闩锁效应.0.35μm标准CMOS工艺流片结果表明,该结构泄漏电流为 12nA,抗ESD能力超过 8kV.
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文献信息
篇名 新型低泄漏防闩锁ESD钳位保护电路
来源期刊 北京大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 静电泄放 gcSCR-CDS 泄漏电流 闩锁效应
年,卷(期) 2007,(3) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 400-404
页数 5页 分类号 TN4
字数 2794字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0479-8023.2007.03.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 贾嵩 北京大学微电子研究院 19 79 5.0 8.0
2 吉利久 北京大学微电子研究院 47 298 11.0 15.0
3 陈中建 北京大学微电子研究院 22 104 6.0 9.0
4 王源 北京大学微电子研究院 20 87 5.0 9.0
5 张钢刚 北京大学微电子研究院 9 16 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
静电泄放
gcSCR-CDS
泄漏电流
闩锁效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
北京大学学报(自然科学版)
双月刊
0479-8023
11-2442/N
16开
北京海淀北京大学校内
2-89
1955
chi
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8
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