GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测材料的结构厚度获取方法

• 作者: 陈贵宾
• 来源期刊: 淮阴师范学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/AlGaAs 多量子阱材料 透射光谱 结构厚度
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 118-121
• 页数: 4页
• 分类号: TN213
• 字数: 3068字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-6876.2007.02.008

摘要

通过常规的透射光谱测量,提供一种获取GaAs/AlGaAs多量子阱材料中上电极层、多量子阱区域实际生长厚度的简便、无损伤的方法,这两个厚度参数在器件制备工艺、材料生长参数修正中起关键作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈贵宾	淮阴师范学院江苏省低维材料化学重点建设实验室	18	47	4.0	5.0