SiO2衬底上PECVD-Si1-xGex薄膜研究

• 作者: 张建民 曹继华 王光伟 郑宏兴 马兴兵
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 锗硅薄膜 等离子体增强化学沉积 热退火 晶相成核与生长
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 109-114
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 997字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.001

摘要

在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料.薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定.对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响.薄膜的物相通过X射线衍射(XRD)确定.基于XRD图谱,利用Scherer公式计算平均晶粒大小.Si1-xGex薄膜载流子霍尔迁移率由霍尔效应法测定.数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近线性关系,从而得出PECVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹继华	天津工程师范大学电子工程系	14	61	4.0	7.0
2	郑宏兴	天津工程师范大学电子工程系	32	122	6.0	9.0
3	王光伟	天津工程师范大学电子工程系	18	78	5.0	8.0
4	马兴兵	天津工程师范大学电子工程系	10	6	1.0	1.0
5	张建民	天津工程师范大学电子工程系	17	76	5.0	8.0