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英飞凌运用65纳米多栅晶体管制造复杂IC
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摘要：
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氧化铟纳米线场效应晶体管制备及其电学性能
氧化铟
纳米线
场效应晶体管
迁移率
阈值电压
石墨烯晶体管的栅长对跨导的影响
石墨烯晶体管
跨导
宽长比
硅MOS晶体管
石墨烯晶体管研究进展
石墨烯晶体管
禁带
截止频率
最大振荡频率
柔性晶体管
晶体管栅形状对单粒子瞬态脉冲特性的影响研究
单粒子瞬态脉冲
瞬态脉宽
环形栅
寄生双极放大效应
内容分析
关键词云
关键词热度
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引文网络
引文网络
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2007(0)
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研究主题发展历程
节点文献
IC
英飞凌
场效应管
技术节点
绝缘体上硅
耗尽层
电池工作时间
制造工艺
静态电流
待机状态
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
16开
出版地：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东
邮发代号：
创刊时间：
1990
语种：
chi
出版文献量（篇）
5953
总下载数（次）
11
总被引数（次）
664
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