在AAO衬底上制备纳米Si阵列研究

• 作者: 唐泽国 彭尚龙 祁菁 胡海龙 贺德衍
• 来源期刊: 兰州大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米晶Si AAO衬底 PECVD
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 96-98
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0455-2059.2007.01.021

摘要

用等离子体增强化学气相沉积在多孔氧化铝(AA0)上制备出具有纳米Si阵列分布的薄膜,用透射电子显微镜和扫描电子显微镜观察了不同生长条件下的样品形貌和结构,用x射线衍射谱仪分析了样品的结晶状况.样品呈现出良好的场电子发射稳定性,开启电场为7 V/μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺德衍	兰州大学物理科学与技术学院	68	559	13.0	19.0
2	彭尚龙	兰州大学物理科学与技术学院	2	4	1.0	2.0
3	祁菁	兰州大学物理科学与技术学院	4	20	3.0	4.0
4	胡海龙	兰州大学物理科学与技术学院	3	16	2.0	3.0
5	唐泽国	兰州大学物理科学与技术学院	1	3	1.0	1.0