MEMS芯片正面结构释放时的保护

• 作者: 张筱朵 秦明
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS后处理 正面腐蚀 正面保护 正面结构释放
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 精密加工
• 页码范围: 335-338
• 页数: 4页
• 分类号: TN16
• 字数: 2398字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2007.04.025

摘要

提出了一种MEMS后处理中正面结构释放的正面保护方法.尤其是针对在CMOS-MEMS工艺制造单片集成传感器时,MEMS后处理工艺中正面体硅湿法腐蚀时对已制作完成的CMOS电路部分的表面铝引线、铝焊盘和钝化层下多晶层的保护方法.将一种新型的复合膜结构和优化后的TMAH腐蚀液相结合,可以保证长时间高温腐蚀时腐蚀液不会渗透到钝化层下,同时完成正面MEMS结构释放.具有与CMOS工艺兼容、工艺实现简单等特点.