锌掺杂量对In2O3电导和气敏性能的影响

• 作者: 刘杏芹 李永红 葛秀涛
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 In1.95Zn0.05O3固溶体 化学共沉淀法 气敏性能
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 31-33
• 页数: 3页
• 分类号: TP212.2
• 字数: 2382字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.04.010

摘要

用化学共沉淀和热处理法于pH 11.5～12.5时,用(NH4)2CO3作沉淀剂,制备了Zn2+掺杂的In2O3微粉.研究了Zn2+掺杂量对In2O3气敏元件电导和气敏性能的影响.结果发现,ZnO与In2O3可形成有限固溶体In2-xZnxO3(0≤x≤0.10);In1.95Zn0.05O3气敏元件在223 ℃工作温度下,对浓度为4.5×10-7 mol/L的C2H5OH的灵敏度高达174.4,且选择性也好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛秀涛	滁州学院化学系	79	245	8.0	9.0
2	李永红	滁州学院化学系	52	257	9.0	12.0
3	刘杏芹	中国科学技术大学材料科学与工程系	52	523	13.0	18.0