DMCPS/CHF3制备的F-SiCOH低k薄膜结构与沉积速率研究

• 作者: 王婷婷
• 来源期刊: 西华大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 低介电常数 SiCOH薄膜 氟掺杂
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 基础学科
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-159X.2007.06.015

摘要

以十甲基环五硅氧烷(DMCPS)和三氟甲烷(CHF3)作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,制备了氟掺杂的SiCOH低介电常数薄膜.研究发现:随着CHF3/DMCPS流量比的增大,薄膜的沉积速率呈"N"型变化.根据薄膜结构和成分的傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)以及放电等离子体中基团分步的光强度标定的发射光谱(OES)分析可知:薄膜沉积速率的变化是由于CHF3进气量的增加导致薄膜生长从以沉积F-SiCOH薄膜为主过渡到以沉积氟化非晶碳(a-C:F:H)薄膜为主的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王婷婷	苏州市职业大学教师教育系	2	0	0.0	0.0