用于MEMS开关的低应力氮氧化硅桥膜

• 作者: 侯智昊 刘泽文 张忠惠 李志坚 胡光伟
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮氧化硅 低应力 PECVD MEMS开关 接触式开关
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 微机械加工技术
• 页码范围: 48-53,59
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.8
• 字数: 5201字
• 语种: 中文

摘要

给出了用于微机电(MEMS)开关悬浮桥的低应力氮氧化硅(SiOxNy)薄膜的制备工艺研究结果,分析了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备低应力薄膜的影响因素,通过改变反应气体(SiH4,NH3和N2O)的流量比,用PECVD方法生成系列SiOxNy薄膜样品.利用形貌仪测量样品的曲率半径,计算相应的应力.研究表明,当反应气体(SiH4,NH3和N2O)的流量比为32∶12∶8(N2标定)时,可以得到张应力值为76.8 MPa的SiOxNy薄膜,其折射率为1.688,Si,N和O三种元素的成分比为56.3∶23.7∶20.0.将此薄膜生长工艺应用于开关制备,得到了适用于DC～10 GHz频段的MEMS接触式开关,其驱动电压为23.3 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯智昊	清华大学微电子学研究所	6	16	3.0	4.0
2	刘泽文	清华大学微电子学研究所	50	169	7.0	10.0
3	胡光伟	清华大学微电子学研究所	5	16	3.0	4.0
4	李志坚	清华大学微电子学研究所	84	451	11.0	15.0
5	张忠惠	清华大学微电子学研究所	1	2	1.0	1.0