β-Ga2O3:Cr单晶体的浮区法生长及光学特性

• 作者: 史宏生 吴永庆 吴锋 夏长泰 张俊刚 徐军 徐悟生 徐晓东 李斌 裴广庆 邓群
• 来源期刊: 中国科学E辑
• 学科: 化学
• 关键词: β-Ga2O3 Cr浮区法 调谐激光晶体 光谱
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 370-374
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 2584字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9275.2007.03.006

摘要

利用浮区法生长得到β-Ga2O3:Cr单晶体.在室温下测试了β-Ga2O3:Cr单晶体的吸收光谱和发射光谱.通过吸收光谱计算了晶体场分裂系数Dq和Racah系数,得到10Dq/B=23.14,表明Cr3+在β-Ga2O3晶体中处于较弱的晶体场.β-Ga2O3:Cr单晶体经高温退火后Cr3+的发射明显加强,而绿光的发射减弱.采用420 nm波长激发,在691 nm可得到强而宽的特征发射,此发射对应于Cr3+的4T2→4A2跃迁.