亚45 nm技术节点平面式硅基CMOS电路制作的材料选择

• 作者: 余本海 刘江锋 戴启润 涂有超 陈长春
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 高介电常数材料 应变硅 金属栅极
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 112-118
• 页数: 7页
• 分类号: TP273
• 字数: 6115字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2007.01.024

摘要

随着45 nm技术的临近,减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限.传统掺杂多晶硅/二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化.此外,沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升.因此,需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善Si基MOS管性能.本文在介绍这3种新材料优势的同时,分析了适合未来平面式硅基CMOS技术中的高介电常数材料和金属栅材料的种类,指出了未来电路中新材料的进一步发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈长春	河南省信阳师范学院物理与电子工程学院	2	4	1.0	2.0
2	刘江锋	河南省信阳师范学院物理与电子工程学院	2	4	1.0	2.0
3	余本海	河南省信阳师范学院物理与电子工程学院	2	4	1.0	2.0
4	戴启润	河南省信阳师范学院物理与电子工程学院	2	4	1.0	2.0
5	涂有超	河南省信阳师范学院物理与电子工程学院	1	4	1.0	1.0