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摘要:
本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术,其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等;在p型掺杂的基础上,实现ZnO同质p-n结室温电注入发光.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光
来源期刊 中国科技论文在线 学科 工学
关键词 ZnO p型掺杂 发光二极管
年,卷(期) 2007,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 317-319
页数 3页 分类号 TN304|O484.1
字数 2959字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.2095-2783.2007.05.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 叶志镇 浙江大学硅材料国家重点实验室 155 1638 21.0 35.0
2 何海平 浙江大学硅材料国家重点实验室 19 71 5.0 7.0
3 卢洋藩 浙江大学硅材料国家重点实验室 8 30 3.0 5.0
4 曾昱嘉 浙江大学硅材料国家重点实验室 10 71 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
ZnO
p型掺杂
发光二极管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国科技论文
月刊
2095-2783
10-1033/N
大16开
北京市海淀区中关村大街35号教育部科技发展中心
2006
chi
出版文献量(篇)
4942
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10
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14783
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