以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性

• 作者: 刘洪图 徐传明 徐军 施朝淑 杨晓杰 许小亮 谢家纯
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 p-n结 硅 电流-电压特性
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 295-299
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.21|TN304.12
• 字数: 2872字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.03.015

摘要

分别在n型半绝缘Si、弱n(n-)以及强n(n+)型Si片(100)面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p-n结.其中在生长p型ZnO时,反应室中通以过量的氧.对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量,在34.1°附近得到了0.3°左右半峰全宽的ZnO(002)衍射峰.ZnO薄膜的原子力显微镜图像上可见六角型的自组装结构.阴极射线荧光的测量显示了位于390nm的紫外特征峰.用I-V特性仪测量了上述ZnO p-n结原型器件的I-V电学输运曲线,其正向显示了约为1.1 V的阈值,与日美科研人员用直流溅射和扩散法制备的ZnO p-n结相似,但反向特性明显优于他们的.