高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片工艺研究

• 作者: 凌宏芝 唐海林
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 MEMS 体硅溶片工艺 高浓度硼深扩散 自停止腐蚀 预淀积 再分布
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 59-61
• 页数: 3页
• 分类号: TH212
• 字数: 2244字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.09.018

摘要

为制备用于硅溶片工艺的高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片,对扩散掺杂工艺进行了研究.结合预淀积和再分布两种条件下扩散的特点,采用两步法工艺制备了高浓度硼深扩散硅片,研究了影响杂质浓度和扩散深度的再分布与预淀积时间比.扩散所得硅片的测试结果与理论计算相当吻合,当再分布与预淀积时间比为1.5倍时,扩散结深为21.7 μm,自停止腐蚀层为14 μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐海林	中国工程物理研究院电子工程研究所	16	76	5.0	8.0
2	凌宏芝	中国工程物理研究院电子工程研究所	3	33	2.0	3.0