深亚微米ESD保护器件GGNMOS性能分析与设计

• 作者: 曾名志 肖立伊 薛婧
• 来源期刊: 中国集成电路
• 学科: 工学
• 关键词: ESD MEDICI 深亚微米GGNMOS
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 设计
• 页码范围: 46-50,58
• 页数: 6页
• 分类号: TN4
• 字数: 3029字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-5289.2007.12.009

摘要

本文采用MEDICI作为集成电路ESD保护常用器件一栅极接地NMOS管(GGNMOS)ESD性能分析的仿真工具,综合分析了各种对GGNMOS的ESD性能有影响的因素,如衬底掺杂、栅长、接触孔距离等,为深亚微米下ESD保护器件GGNMOS的设计提供了依据.通过分析发现衬底接触孔到栅极距离对GGNMOS器件ESD性能也有一定影响,此前,对这一因素的讨论较少.最后,根据分析结果,给出了一个符合ESD性能要求的器件设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖立伊	哈尔滨工业大学微电子中心	39	247	9.0	13.0
2	薛婧	哈尔滨工业大学微电子中心	1	3	1.0	1.0
3	曾名志	哈尔滨工业大学微电子中心	1	3	1.0	1.0