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摘要:
本文对深亚微米工艺所引起的集成电路抗静电能力下降的原因和传统保护电路设计的缺陷进行了深入的阐述,从制造工艺、保护电路元件和保护电路结构三方面对深亚微米集成电路中的ESD保护改进技术进行了详细论述.
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文献信息
篇名 深亚微米集成电路中的ESD保护问题
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 深亚微米集成电路 ESD保护
年,卷(期) 2005,(10) 所属期刊栏目 电路设计与制造
研究方向 页码范围 26-31
页数 6页 分类号 TN301
字数 4724字 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
深亚微米集成电路
ESD保护
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
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24
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9543
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