MOS晶体管的阈值电压不匹配特性

• 作者: 刁冬梅 朱樟明 杨银堂
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 不匹配 阈值电压 MOS
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 1-3,37
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2465字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2007.05.001

摘要

集成电路中器件的匹配性对于模拟电路和数字电路的设计有着很重要的影响,而现在重要的是还缺乏精确的器件匹配的模型.在模拟集成电路设计中,MOS管阈值电压的匹配特性对集成电路尤其是电流Ids的大小有着重要的影响.基于短沟道系列模型,MOS氧化层中的固定电荷和杂质原子服从泊松分布,分析了NMOS和PMOS器件不匹配的物理原因,并验证σVT/-VT遵循与1/√area成比例的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子研究所	164	1318	18.0	26.0
3	刁冬梅	西安电子科技大学微电子研究所	3	1	1.0	1.0