直流电沉积制备一维ZnSe半导体纳米材料

• 作者: 曹胜男 王光灿 郭志超
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体技术 模板 直流电沉积 半导体纳米线阵列
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 14-16
• 页数: 3页
• 分类号: O471.4
• 字数: 1510字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.07.005

摘要

用二次阳极氧化法制备了多孔阳极氧化铝(AAO)模板.以AAO为模板,在ZnSO4、Na2SO4和H2SeO3的混合水溶液中进行直流电沉积了ZnSe半导体纳米线.SPM、TEM测试表明,模板表面形成模孔大小一致、排列规则的阵列.ZnSe纳米线的直径约为60 nm,长度约为0.5 μm并与模板的孔径和深度一致.在制备过程中,无需去除AAO的基底,喷金或预镀金属等处理,直接在AAO纳米孔内电沉积,制备纳米线.该方法简单、有效并且容易获得有序的半导体纳米线阵列.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王光灿	云南大学物理科学技术学院	24	210	7.0	14.0
2	郭志超	云南大学物理科学技术学院	6	18	3.0	3.0
3	曹胜男	云南大学物理科学技术学院	4	13	2.0	3.0