CMOS带隙基准电压源的设计

• 作者: 张玉明 林智 闫新强
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS模拟电路 带隙基准电压源 电压稳定性 温度特性
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 页码范围: 54-56
• 页数: 3页
• 分类号: TN431.1

摘要

给出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺设计的新型高性能带隙基准电压源的设计方法．该方法采用高增益两极运算放大器结构来降低失调电压。文中给出了采用Cadence软件进行电路设计、电路仿真以及版图设计、版图仿真的具体做法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉明	西安电子科技大学微电子学院	126	777	15.0	20.0
2	闫新强	西安电子科技大学微电子学院	2	0	0.0	0.0
3	林智	西安电子科技大学微电子学院	2	0	0.0	0.0