高纯铝光箔化学成分对直流电侵蚀的影响

• 作者: 严季新 王建中 肖仁贵 闫康平
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 铝箔 化学成分 侵蚀 电容器
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 52-54
• 页数: 3页
• 分类号: TM535
• 字数: 2060字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.08.015

摘要

以Fe、Si、Cu含量不同的四种铝光箔进行直流电侵蚀对比实验,研究了高纯铝光箔中化学成分对其作为电容器用铝箔侵蚀过程产生的影响.通过对侵蚀样品的SEM表面观察、腐蚀形貌定量分析,对光箔中化学成分与样品效果进行了分析讨论.结果表明,Cu能增强表面蚀孔的产生,Cu含量相对较低的(25×10-6)光箔侵蚀后适用于制作中压铝电解电容器;Cu含量相对较高的[(50～60)×10-6]光箔侵蚀后适用于制作高压铝电解电容器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫康平	四川大学化工学院	95	356	10.0	15.0
2	肖仁贵	四川大学化工学院	31	113	6.0	8.0