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摘要:
提出了基于寄生参数自校正的高精度温度传感器,并给出了基于CSMC 0.5μm混合信号CMOS工艺的仿真结果.利用CMOS工艺衬底pnp三极管的发射区-基区pn结作为温度传感单元,提出了易于开关-电容电路实现的寄生电阻校正方法,消除了基区电阻非线性对温度测量的影响,提高了测量精度.电路仿真结果显示,系统测温误差在-55℃~125℃范围内仅为±0.3℃.
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文献信息
篇名 在-55~125℃范围内误差小于±0.3℃硅基温度传感器
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 温度传感器 误差自校准 基区电阻消除 CMOS衬底三极管
年,卷(期) 2007,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1972-1978
页数 7页 分类号 TN432
字数 4745字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.12.023
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研究主题发展历程
节点文献
温度传感器
误差自校准
基区电阻消除
CMOS衬底三极管
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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