CMOS电压模式伪指数功能电路

• 作者: 恽廷华 王文静 陈斯
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 指数函数 电压模式 CMOS工艺 dB-线性
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1246-1248
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 字数: 1676字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.030

摘要

根据函数(1+x)/(1-x),利用MOS晶体管工作在饱和区的平方律特性,设计了一种电压模式的CMOS伪指数功能电路.该指数电路由一对简单的背对背电流镜和一个电流模式的除法器构成.基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,3.3 V工作电压下的Hspice仿真结果显示电路的输出电压与输入电压之间成良好的指数关系即dB-线性关系.在dB-线性内,输出电压的动态范围为20 dB,误差在1 dB之内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈斯	徐州师范大学物理与电子工程学院	19	96	7.0	8.0
2	王文静	徐州师范大学物理与电子工程学院	2	0	0.0	0.0