SiGe电荷注入晶体管的直流特性模型

• 作者: 宣荣喜 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 舒斌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe/Si异质结 电荷注入晶体管 二维空穴气 隧道效应
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1105-1109
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 4033字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.02.080

摘要

为了能直观地体现SiGe/Si电荷注入晶体管的收集极电流与漏源电压的关系,利用输入端SiGe/Si量子阱中二维空穴气的隧道模型,建立起此类器件的输入输出数学模型,并利用MATLAB软件对所建模型进行了模拟,结果显示在漏源电压约为1.5 V时,漏电流出现较强的负微分电阻效应,与文献报道结果符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	102	510	12.0	16.0
4	宣荣喜	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	22	172	8.0	12.0
5	舒斌	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	14	109	8.0	10.0