柔性FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的应力阻抗效应

• 作者: 张万里 彭斌 汤如俊 苏鼎 蒋洪川
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 工学
• 关键词: 柔性基底 FeCoSiB非晶磁弹性薄膜 应力阻抗效应
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 907-910
• 页数: 4页
• 分类号: TN1
• 字数: 2130字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.010

摘要

采用直流磁控溅射方法在柔性Kapton基片上沉积了FeCoSiB薄膜,研究了偏置磁场、溅射气压以及测试频率对薄膜应力阻抗效应的影响规律.结果表明,本文中优化的溅射气压为1.5 Pa,强的偏置磁场可形成强的横向各向异性,从而显著提高材料的应力阻抗效应.随着测试频率从0.1MHz升高到30 MHz,薄膜的应力阻抗效应显著增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋洪川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	586	12.0	19.0
2	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
3	彭斌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	87	638	12.0	21.0
4	苏鼎	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	3	1.0	1.0
5	汤如俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	4	1.0	2.0