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摘要:
用磁控溅射法制备弯曲形FeSiB/Cu/FeSiB多层膜,在1~40 MHz范围内研究FeSiB膜和Cu膜厚度对多层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:多层膜的应力阻抗效应随着其形变位移的增加近似线性增加,在自由端变形1 mm、电流频率5 MHz时,应力阻抗效应达-17.3%,在新型力敏传感器方面具有广阔的应用前景.
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篇名 弯曲形FeSiB/Cu/FeSiB多层膜的应力阻抗效应
来源期刊 电子元件与材料 学科 物理学
关键词 无机非金属材料 应力阻抗 FeSiB/Cu/FeSiB多层膜 磁控溅射 弯曲形
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 5-7
页数 3页 分类号 O484.4+3
字数 2796字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.01.003
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无机非金属材料
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磁控溅射
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电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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