溅射气压和偏置磁场对FeSiCoB薄膜应力阻抗性能的影响

• 作者: 张万里 彭斌 杨国宁 蒋洪川 谌贵辉
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁弹性薄膜 应力阻抗 溅射气压 偏置场 FeCoSiB
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 46-48
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 1810字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2005.01.012

摘要

利用磁控溅射,通过溅射过程中施加一横向静磁场,并在真空中退火的方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜.当偏置磁场从4800 A/m增加到9600 A/m时,薄膜的应力阻抗从0.5%提高到1.65%.在2 Pa溅射气压和9600 A/m的偏置场下,获得了1.65%的阻抗相对变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋洪川	电子科技大学微电子与固体电子学院	74	586	12.0	19.0
2	张万里	电子科技大学微电子与固体电子学院	142	705	13.0	17.0
3	彭斌	电子科技大学微电子与固体电子学院	87	638	12.0	21.0
4	杨国宁	电子科技大学微电子与固体电子学院	6	46	3.0	6.0