微波GaAs功率芯片的低空洞率真空焊接技术研究

• 作者: 严伟 徐骏善 李孝轩 禹胜林 胡永芳
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 功率芯片 共晶焊接 空洞率 真空
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2807字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.06.004

摘要

文章选用80Au20Sn焊料对微波GaAs功率芯片的焊接技术进行了较为系统深入的研究,通过对共晶焊接设备与真空烧结设备分别对焊接时气体保护、焊片大小、真空工艺过程的施加和夹具设计等因素进行了试验分析.结果表明,以上参数对微波GaAs功率芯片焊接均有显著的影响,在保护气体流量为1.5L·min-1的氮气保护下,通过施加适当的夹具静压力和金锡焊料熔化时的抽真空应用,AuSn焊料能够充分和快速润湿,实现较高的焊接质量.X射线检测结果表明,微波GaAs功率芯片焊接具有较低的空洞率,焊透率高达90%以上,焊接过程主要通过夹具装配完成,人为影响因素少,成品率高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	禹胜林		12	207	7.0	12.0
2	严伟		31	397	9.0	19.0
3	李孝轩		16	127	7.0	11.0
4	胡永芳		19	99	5.0	9.0
5	徐骏善		1	24	1.0	1.0