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摘要:
伴随着整个CMP工艺的进步,CMP后清洗工艺技术也日趋关键.分析了引起缺陷和玷污的因素、微粒去除的理论研究以及清洗的方案;在清洗方案中详细论述了机械去除、化学湿法去除和兆声去除;最后指出了新的技术及发展趋势.
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文献信息
篇名 CMP后的晶圆清洗过程研究
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 CMP zeta电位 后清洗 兆声清洗
年,卷(期) 2008,(6) 所属期刊栏目 CMP与清洗
研究方向 页码范围 28-32
页数 5页 分类号 TN305.97
字数 2879字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2008.06.007
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
CMP
zeta电位
后清洗
兆声清洗
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
出版文献量(篇)
3731
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31
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10002
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