功率MOSFET的封装失效分析

• 作者: 唐穗生
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 封装 失效机理
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 78-80
• 页数: 3页
• 分类号: TN701-4

摘要

在半导体器件的生产工艺过程中，MOSFET器件的芯片结构不同于普通晶体管，而且，MOSFET器件对后道装配的要求也较高，文中从生产实际出发，对功率MOSFET器件在测试中出现的不良品进行了分析，并对其失效机理和影响因素进行了探讨，最后提出了相应的改进措施。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐穗生		6	0	0.0	0.0