N型单晶硅衬底上非晶硅/单晶硅异质结太阳电池计算机模拟

• 作者: 任丙彦 张兵 张燕 李洪源 王文静 许颖 郭贝
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结 太阳电池 计算机模拟
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 理论与实践
• 页码范围: 1112-1116
• 页数: 5页
• 分类号: TK511.4
• 字数: 2287字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2008.09.012

摘要

采用德国HMI研发的AFORS-HET软件模拟了N型衬底非晶硅,单晶硅异质结太阳电池的特性,结果表明随着发射层厚度的增加,短路电流下降,电池的短波响应变差.在非晶硅,单晶硅异质结界面处加入不同的界面态密度(Dit).发现当Dit1012cm-2·eV-1时,电池的开路电压和填充因子均大幅减小,导致电池效率降低.当在非晶硅,单晶硅异质结界面处加入本征非晶缓冲层后,电池性能明显改善,但是缓冲层厚度应控制在30nm以内.模拟的a-Si/i-a-Si:H/c-Si/i-a-Si:H/n+a-Si双面异质结太阳电池的最高转换效率达到28.47%.