二氧化锡纳米结构的光致发光及生长机制研究

• 作者: 徐平 王冰
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 SnO2纳米结构 碳热蒸发 晶体生长 晶体形貌
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 52-54,64
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1|O78
• 字数: 2658字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.08.016

摘要

通过金银合金助催的碳热蒸发方式,在单晶Si衬底上生长了几种不同形貌的SnO2纳米结构.用SEM、XRD、Raman和PL等测试技术对其形貌、结构进行了表征.结果表明:PL光谱中观察到的359和450 nm两个新峰是由存在于SnO2纳米结构中的发光中心如纳米晶体或氧空位等造成的.SnO2纳米结构的生长遵从VLS机制,与反应源的不同距离所产生的温度差是造成这些纳米结构具有不同形貌的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王冰		2	15	2.0	2.0
2	徐平		2	12	2.0	2.0