基于高级硅刻蚀和硅氧化工艺的软X射线干涉光刻分束光栅的优化设计

• 作者: 史沛熊 吴衍青 徐洪杰 朱伟忠 邰仁忠 郭智
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 软X射线透射光栅 衍射效率 高级硅刻蚀 硅氧化工艺 严格耦合波方法 软X射线干涉光刻
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 新一代同步辐射技术及应用
• 页码范围: 415-419
• 页数: 5页
• 分类号: O436.1
• 字数: 3699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2008.06.004

摘要

基于严格的矢量耦合波方法,对13.4nm(92.5eV)软X射线正入射于周期140nm的Si光栅和SiO2光栅的一级衍射效率进行了模拟计算,结果表明SiO2光栅的最大一级衍射效率远比Si光栅高,同时也比目前用于13.4nm软X射线干涉光刻的Cr/Si3N4复合光栅高.本文提出用高级硅刻蚀工艺和硅氧化工艺制作深高宽比纳米级SiO2光栅的新方法,可以解决直接刻蚀制作此光栅难度大的问题,适用于制作上海光源(SSRF)软X射线干涉光刻分束光栅.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭智	中国科学院上海应用物理研究所	26	115	6.0	9.0
2	徐洪杰	中国科学院上海应用物理研究所	56	438	10.0	19.0
3	邰仁忠	中国科学院上海应用物理研究所	22	55	5.0	6.0
4	吴衍青	中国科学院上海应用物理研究所	12	41	3.0	6.0
5	朱伟忠	中国科学院上海应用物理研究所	3	10	2.0	3.0