PECVD SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能

• 作者: 吕知秋 张锦文 李婷 王颖 田大宇 金玉丰 陈治宇
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 工学
• 关键词: 驻极体 SiO2/Si3N4双层膜 PECVD
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 125-128
• 页数: 4页
• 分类号: TB324
• 字数: 1825字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.028

摘要

本文研究了在带有Cr/Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能.针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极,并在电晕注极过程中将底电极引出接地.通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温度等因素,希望得到对PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能的优化.本文证实了PECVD双层膜具备良好的驻极体性能,有望广泛应用于微器件中.