SnO2(110)表面电子结构的第一性原理

• 作者: 张五金 王立鼎 翁雪军 金仁成
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 工学
• 关键词: SnO2 密度泛函理论 电子结构 能隙
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 59-64
• 页数: 6页
• 分类号: TN401
• 字数: 2078字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.014

摘要

应用第一性原理DFT(密度泛函理论)研究了具有(1×1)和(2×1)对称性的SnO2(110)氧化表面、还原表面和缺陷表面的几何结构与电子结构,重点分析了表面氧空穴(O vacancy)对表面电子结构的影响以及对气体分子吸附的影响.研究结果表明,由于表面空穴的存在,SnO2(110)表面能隙中都出现了明显的表面态,由于表面氧的流失而留下来的电荷是产生这些表面态的主要原因,这些电荷主要集中在Sn上和附近的空穴中,与这些电荷相关的轨道是氧化物表面吸附研究的关键.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立鼎	大连理工大学微系统研究中心	130	1877	24.0	38.0
2	金仁成	大连理工大学微系统研究中心	37	224	9.0	13.0
3	张五金	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	3	21	3.0	3.0
4	翁雪军	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	1	8	1.0	1.0