Ti掺杂SnO2半导体固溶体的第一性原理研究

• 作者: 张小超 梁镇海 樊彩梅 解学佳 贾金乾 韩培德
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 密度泛函理论 Sn1-xTixO2固溶体 形成能 电子结构
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学化
• 页码范围: 1050-1056
• 分类号: O641
• 字数: 4414字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0251-0790.2012.05.034

摘要

Ti掺杂SnO2固溶体是钛基氧化物耐酸阳极的重要组成部分.采用基于密度泛函理论的第一性原理对Sn1-xTixO2(x=0,1/12,1/8,1/6,1/4,1/2,3/4,5/6)固溶体的电子结构进行计算,分析了能带结构、电子态密度和电荷密度以及晶格参数的变化.结果表明,Ti掺入SnO2晶格后,其晶格参数随组分增加近似呈直线降低,Ti-O键的共价性强于Sn-O键.掺杂后带隙仍为直接带隙,且随着掺杂比例的增加,带隙逐渐减小.当掺杂比例x=0.5时,形成能达到最低值(-6.11 eV),固溶体最稳定.本文的计算结果为钛基氧化物电极材料的研究与开发提供了一定的理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁镇海	太原理工大学化学化工学院	85	695	14.0	23.0
2	樊彩梅	太原理工大学化学化工学院	105	1040	18.0	27.0
3	韩培德	太原理工大学材料科学与工程学院	95	621	13.0	19.0
4	张小超	太原理工大学化学化工学院	26	109	6.0	9.0
5	解学佳	太原理工大学化学化工学院	3	23	2.0	3.0
6	贾金乾	太原理工大学化学化工学院	2	14	1.0	2.0