35K CMOS器件LDD结构的SPICE宏模型

• 作者: 丁瑞军 冯琪 刘文永
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 轻掺杂漏区 串联电阻 BSIM3v3 SPICE模型 CMOS 低温
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 465-469
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2442字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2008.06.016

摘要

针对BSIM3v3模型在35K低温下无法模拟LDD(轻掺杂漏区)所引起的串联电阻异常,提出了可以模拟这一异常的SPICE宏模型.通过修改CMOS器件常温BSIM3v3模型中的一些与温度有关的参数值,得到35K BSIM3v3模型.模拟结果表明,根据此模型进行参数提取后的I-V特性曲线与实测曲线十分吻合.最后,运用此模型对CMOS传输门和两级运算放大器进行仿真,结果表明LDD串联电阻效应对这些电路产生了重要影响,该模型明显提高了低温BSIM3v3的仿真精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁瑞军	中国科学院上海技术物理研究所	40	205	8.0	12.0
2	刘文永	中国科学院上海技术物理研究所	2	9	1.0	2.0
6	冯琪	中国科学院上海技术物理研究所	5	32	4.0	5.0