多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析

• 作者: 孔蔚然 李睿 浦晓栋 王俊 王庆东 莘海维 马惠平
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 工学
• 关键词: 静态随机存储器 单比特位失效 多晶硅栅耗尽
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 923-926
• 页数: 4页
• 分类号: TN1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.014

摘要

本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理.通过纳米探针测量,发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致.TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶粒尺寸较大,这有可能导致栅的功函数变化以及靠近栅介质层区域的掺杂较轻.我们用SPICE模拟证实了晶体管驱动力变弱的原因是局域的多晶栅耗尽.